Projekt

VorZuQ

Vorentwicklung zur präzisen Zuverlässigkeitsuntersuchung für Materialien und Systeme der Quantentechnologie

Motivation

Die Untersuchung von thermo-mechanischen Spannungen auf die Zuverlässigkeit von Halbleiter-Bauelementen im Kryo-Temperaturbereich ist ein wichtiger Schritt in der Entwicklung von Quantencomputern. Die Halbleiter-Bauelemente sind dabei den extremen Bedingungen im Kryo-Temperaturbereich ausgesetzt und können durch thermo-mechanische Spannungen beschädigt werden.

Ziele und Vorgehen

Das Ziel des Projekts ist es, eine Plattform für Zuverlässigkeitsuntersuchungen im Kryo-Temperaturbereich zu schaffen. Dabei sollen thermo-mechanische Spannungen auf die Zuverlässigkeit von Halbleiter Bauelementen untersucht werden. Die Plattform soll es ermöglichen, Schädigungsszenarien frühzeitig zu erkennen und zu charakterisieren. Durch die Untersuchung von Silizium-Durchkontaktierungen (“through-silicon-vias”, TSVs), welche in den sog. Interposern den Kontakt zu Qubit-Chips bzw. zu CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor)-Steuerelementen vermitteln, sollen Aussagen zur Zuverlässigkeit der TSVs im Tieftemperaturbereich ermöglicht werden. Begleitende Materialcharakterisierungen an den TSVs sollen durchgeführt und in komplexen Finite-Elemente-Simulationen zusammengefasst werden.

Innovation und Perspektiven

Mit den in VorZuQ erarbeiteten technischen Aufbauten und Workflows wird in Zukunft eine Beurteilung der thermo-mechanischen Spannungen in mikroelektronischen Bauelementen im Kryo-Temperaturbereich möglich sein und damit der Weg für eine höhere Zuverlässigkeit von Quantencomputern bereitet.

Projektdetails

Projektlaufzeit:
01.10.2023 - 30.09.2026

Projektvolumen:
477.000 Euro (zu 100 % durch das BMBF gefördert)

Projektkoordination

Dr. Andre Clausner
Fraunhofer-Institut für Keramische Technologien und Systeme (IKTS)
Dresden

E-Mail-Adresse: andre.clausner (at) ikts.fraunhofer.de
Projektpartner
Fraunhofer-Institut für Keramische Technologien und Systeme (IKTS)

Dresden / Germany